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NTD20N06T4

Power MOSFET

PowerMOSFET20Amps,60Volts,N?ChannelDPAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable ?LowerRDS(on) ?LowerVDS(on) ?LowerCapacitances ?LowerTotal

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NTD20N06T4G

Power MOSFET

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安森美半導體安森美半導體公司

NTD20N06T4G

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

NTD20N06T4G

Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, N??hannel DPAK

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PowerMOSFET20Amps,60Volts,N??hannelDPAK

MOSFET–Power,N-Channel,DPAK20A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?LowerRDS(on) ?LowerVDS(on) ?LowerCapacitances ?LowerTotalGateCharge ?LowerandTighterVSD

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PowerMOSFET20Amps,60Volts,N??hannelDPAK

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NTDV20N06T4G

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

STD20N06T4

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NTD20N06T4

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 20A N-Channel

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NTD20N06T4供應(yīng)商 更新時間2025-1-19 16:36:00

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