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NTHL032N065M3S

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L

Features ?TypicalRDS(on)=32m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=55nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=114pF) ?100%AvalancheTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection)

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安森美半導體安森美半導體公司

NTBL032N065M3S

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,32mohm,650V,M3S,TOLL

Features ?TypicalRDS(on)=32m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=55nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=113pF) ?100%AvalancheTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection)

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NVBG032N065M3S

SiliconCarbide(SiC)MOSFET-EliteSiC,32mohm,650V,M3S,D2PAK-7L

Features ?TypicalRDS(ON)=32m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=55nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=113pF) ?100%AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb?Free

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安森美半導體安森美半導體公司

NVBG032N065M3S

SiliconCarbide(SiC)MOSFET-EliteSiC,32mohm,650V,M3S,D2PAK-7L

Features ?TypicalRDS(ON)=32m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=55nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=113pF) ?100%AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb?Free

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