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NTLJD4150PTBG_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET P-CH DUAL 30V 3.2A 6WDFN中福國際2部

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  • 廠家型號：

    NTLJD4150PTBG

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美

  • 庫存數(shù)量：

    360000

  • 產(chǎn)品封裝：

    WDFN-6

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-19 10:33:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號：NTLJD4150PTBG品牌：ONSEMI/安森美

交期準(zhǔn)時(shí)服務(wù)周到

  • 芯片型號：

    NTLJD4150PTBG

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大小：

    81.51 kb

  • 資料說明：

    Power MOSFET -30 V, -3.4 A, uCool TM Dual P-Channel,2x2 mm WDFN Package

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    NTLJD4150PTBG

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH DUAL 30V 3.2A 6WDFN

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個(gè) N 溝道（雙） FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市中福國際管理有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    13266709901

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82571134

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福虹路世貿(mào)廣場B座22F

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