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NXH006P120MNF2PTG_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NXH006P120MNF2PTG_V01
廠商型號(hào)

NXH006P120MNF2PTG_V01

功能描述

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 6 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package

文件大小

1.72108 Mbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-24 15:04:00

NXH006P120MNF2PTG_V01規(guī)格書詳情

The NXH006P120MNF2 is a power module containing an 6 m /

1200 V SiC MOSFET half?bridge and a thermistor in an F2 package.

Features

? 6 m / 1200 V SiC MOSFET Half?Bridge

? Thermistor

? Options with Pre?Applied Thermal Interface Material (TIM) and

without Pre?Applied TIM

? Options with Solderable Pins and Press?Fit Pins

? These Devices are Pb?Free, Halide Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

? Solar Inverter

? Uninterruptible Power Supplies

? Electric Vehicle Charging Stations

? Industrial Power

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON
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原廠原封
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訂貨1周 原裝正品
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