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NXH100B120H3Q0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

NXH100B120H3Q0
廠商型號(hào)

NXH100B120H3Q0

參數(shù)屬性

NXH100B120H3Q0 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM

功能描述

Dual Boost Power Module
IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM

封裝外殼

模塊

文件大小

1.44776 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-8 19:00:00

NXH100B120H3Q0規(guī)格書詳情

NXH100B120H3Q0屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH100B120H3Q0晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NXH100B120H3Q0PTG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 配置:

    2 個(gè)獨(dú)立式

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,50A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

    無(wú)

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    22-PIM(55x32.5)

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON
24+
NA
25000
ON全系列可訂貨
詢價(jià)
onsemi(安森美)
23+
6000
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤
詢價(jià)
onsemi(安森美)
2021+
Q0BOOST ? Case 180AJ
499
詢價(jià)
ON(安森美)
23+
13681
公司只做原裝正品,假一賠十
詢價(jià)
NSK
2023+
SMT
80000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
詢價(jià)
ON(安森美)
標(biāo)準(zhǔn)封裝
8000
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價(jià)
ON
23+
原廠原封
24
訂貨1周 原裝正品
詢價(jià)
ONSEMI
22
SOP12
21000
全新、原裝
詢價(jià)
ONSEMI
23+
IGBT
5864
原裝原標(biāo)原盒 給價(jià)就出 全網(wǎng)最低
詢價(jià)
onsemi
24+
mokuai
2094
專注原裝正品代理分銷,認(rèn)準(zhǔn)水星電子
詢價(jià)