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NXH020F120MNF1PTG_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NXH020F120MNF1PTG_V01
廠商型號(hào)

NXH020F120MNF1PTG_V01
功能描述

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 20 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V, 4-PACK Full Bridge Topology, F1 Package
文件大小

1.64076 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-23 23:00:00

NXH020F120MNF1PTG_V01規(guī)格書詳情

The NXH020F120MNF1 is a power module containing an

20 m/1200 V SiC MOSFET full bridge and a thermistor in an F1

package.

Features

? 20 m / 1200 V SiC MOSFET Half?Bridge

? Thermistor

? Options with Pre?Applied Thermal Interface Material (TIM) and

without Pre?Applied TIM

? Press?Fit Pins

? These Devices are Pb?Free, Halide Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

? Solar Inverter

? Uninterruptible Power Supplies

? Electric Vehicle Charging Stations

? Industrial Power

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