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NXH010P120MNF1PTG中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NXH010P120MNF1PTG
廠商型號

NXH010P120MNF1PTG

功能描述

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 10 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package

絲印標(biāo)識

NXH010P120MNF1PTG

封裝外殼

F1-2PACK

文件大小

2.03014 Mbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-21 23:00:00

NXH010P120MNF1PTG規(guī)格書詳情

General Description

The NXH010P120MNF1 is a power module containing an

10 m/1200 V SiC MOSFET half bridge and a thermistor in an F1

package.

Features

? 10 m/1200V SiC MOSFET Half Bridge

? Thermistor

? Options With Pre?Applied Thermal Interface Material (TIM) and

Without Pre?Applied TIM

? Press?Fit Pins

Typical Applications

? Solar Inverter

? Uninterruptible Power Supplies

? Electric Vehicle Charging Stations

? Industrial Power

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