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NXH008T120M3F2PTHG中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NXH008T120M3F2PTHG
廠商型號(hào)

NXH008T120M3F2PTHG
功能描述

Silicon Carbide (SiC) Module – 8 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, TNPC Topology, F2 Package
文件大小

1.02772 Mbytes
頁面數(shù)量

16 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-9 23:00:00

NXH008T120M3F2PTHG規(guī)格書詳情

The NXH008T120M3F2PTHG is a power module containing an

8 m / 1200 V SiC MOSFET TNPC and a thermistor with HPS DBC

in an F2 package.

Features

? 8 m / 1200 V M3S SiC MOSFET TNPC

? HPS DBC

? Thermistor

? Options with Pre?Applied Thermal Interface Material (TIM) and

without Pre?Applied TIM

? Options with Solderable Pins and Press?Fit Pins

? These Devices are Pb?Free, Halide Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

? Solar Inverter

? Uninterruptible Power Supplies

? Electric Vehicle Charging Stations

? Industrial Power

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