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NXH007F120M3F2PTHG中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NXH007F120M3F2PTHG
廠商型號

NXH007F120M3F2PTHG

功能描述

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 7 mohm, 1200 V, SiC M3S MOSFET, Full Bridge, F2 Package

文件大小

502.81 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-24 23:00:00

NXH007F120M3F2PTHG規(guī)格書詳情

The NXH007F120M3F2PTHG is a power module containing

7 m/ 1200 V SiC MOSFET full?bridge and a thermistor with HPS

DBC in an F2 package.

Features

? 7 m / 1200 V M3S SiC MOSFET Full?Bridge

? HPS DBC

? Thermistor

? Options with Pre?Applied Thermal Interface Material (TIM) and

without Pre?Applied TIM

? Press?Fit Pins

? These Devices are Pb?Free, Halide Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

? Solar Inverter

? Uninterruptible Power Supplies

? Electric Vehicle Charging Stations

? Industrial Power

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