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NXH020F120MNF1PG中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NXH020F120MNF1PG
廠商型號

NXH020F120MNF1PG

功能描述

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 20 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V, 4-PACK Full Bridge Topology, F1 Package

絲印標(biāo)識

NXH020F120MNF1PG

封裝外殼

F1-4PACK

文件大小

1.64076 Mbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-9 18:30:00

NXH020F120MNF1PG規(guī)格書詳情

The NXH020F120MNF1 is a power module containing an

20 m/1200 V SiC MOSFET full bridge and a thermistor in an F1

package.

Features

? 20 m / 1200 V SiC MOSFET Half?Bridge

? Thermistor

? Options with Pre?Applied Thermal Interface Material (TIM) and

without Pre?Applied TIM

? Press?Fit Pins

? These Devices are Pb?Free, Halide Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

? Solar Inverter

? Uninterruptible Power Supplies

? Electric Vehicle Charging Stations

? Industrial Power

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
23+
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