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NXH100B120H3Q0SG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

NXH100B120H3Q0SG
廠商型號(hào)

NXH100B120H3Q0SG

參數(shù)屬性

NXH100B120H3Q0SG 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1

功能描述

Dual Boost Power Module
PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1

絲印標(biāo)識(shí)

NXH100B120H3Q0SG

封裝外殼

Q0BOOST-Case180AJ / 模塊

文件大小

1.44776 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-25 17:08:00

NXH100B120H3Q0SG規(guī)格書詳情

NXH100B120H3Q0SG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH100B120H3Q0SG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NXH100B120H3Q0SG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 配置:

    2 個(gè)獨(dú)立式

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,50A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    22-PIM/Q0BOOST(55x32.5)

  • 描述:

    PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON(安森美)
標(biāo)準(zhǔn)封裝
8000
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價(jià)
ON
23+
原廠原封
24
訂貨1周 原裝正品
詢價(jià)
ONSEMI
22
SOP12
21000
全新、原裝
詢價(jià)
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24+
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ON(安森美)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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10
C23-電容器
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ON(安森美)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
5000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品
詢價(jià)
ON(安森美)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
8000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品
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