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NXH100B120H3Q0PG分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NXH100B120H3Q0PG |
| 參數屬性 | NXH100B120H3Q0PG 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊；產品描述：PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1 |
| 功能描述 | Dual Boost Power Module |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | Q0BOOST-Case180BF / 模塊 |
| 文件大小 |
1.44776 Mbytes |
| 頁面數量 |
15 頁 |
| 生產廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導體公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-14 14:12:00 |
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NXH100B120H3Q0PG規(guī)格書詳情
NXH100B120H3Q0PG屬于分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導體公司制造生產的NXH100B120H3Q0PG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
產品屬性
更多- 產品編號：
NXH100B120H3Q0PG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 配置：
2 個獨立式
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，50A
- 輸入：
標準
- NTC 熱敏電阻：
無
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應商器件封裝：
22-PIM（55x32.5）
- 描述：
PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
原廠原封 |
24 |
訂貨1周 原裝正品 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
23+ |
13681 |
公司只做原裝正品,假一賠十 |
詢價 | |||
ON(安森美) |
22+ |
NA |
8000 |
原廠原裝現貨 |
詢價 | ||
NSK |
24+ |
SMT |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | ||
ON |
2023 |
NA |
7707 |
原廠代理渠道,正品保障 |
詢價 | ||
SAMYOUNG |
24+ |
con |
100 |
現貨常備產品原裝可到京北通宇商城查價格 |
詢價 | ||
SAMYOUNG |
24+ |
con |
2500 |
優(yōu)勢庫存,原裝正品 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
標準封裝 |
8000 |
集團化配單-有更多數量-免費送樣-原包裝正品現貨-正規(guī) |
詢價 | |||
DOWO(東沃) |
24+ |
SMD |
10 |
C23-電容器 |
詢價 | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
7350 |
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