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NXH100B120H3Q0PG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
NXH100B120H3Q0PG |
參數(shù)屬性 | NXH100B120H3Q0PG 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1 |
功能描述 | Dual Boost Power Module |
封裝外殼 | 模塊 |
文件大小 |
1.44776 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
15 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-8 19:00:00 |
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NXH100B120H3Q0PG規(guī)格書詳情
NXH100B120H3Q0PG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH100B120H3Q0PG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
NXH100B120H3Q0PG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝:
托盤
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 配置:
2 個獨立式
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.3V @ 15V,50A
- 輸入:
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻:
無
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝:
22-PIM(55x32.5)
- 描述:
PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
NA |
25000 |
ON全系列可訂貨 |
詢價 | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
6000 |
誠信服務(wù),絕對原裝原盤 |
詢價 | |||
onsemi(安森美) |
2021+ |
Q0BOOST ? Case 180BF |
499 |
詢價 | |||
ON(安森美) |
23+ |
13681 |
公司只做原裝正品,假一賠十 |
詢價 | |||
NSK |
2023+ |
SMT |
80000 |
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
8000 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
ON |
23+ |
原廠原封 |
24 |
訂貨1周 原裝正品 |
詢價 | ||
ONSEMI |
22 |
SOP12 |
21000 |
全新、原裝 |
詢價 | ||
ONSEMI |
23+ |
IGBT |
5864 |
原裝原標(biāo)原盒 給價就出 全網(wǎng)最低 |
詢價 | ||
onsemi |
24+ |
mokuai |
2094 |
專注原裝正品代理分銷,認(rèn)準(zhǔn)水星電子 |
詢價 |