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NXH800H120L7QDSG中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NXH800H120L7QDSG
廠商型號

NXH800H120L7QDSG
功能描述

Half-Bridge IGBT Module, Qdual3 1200 V, 800 A
文件大小

451.6 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-5 23:00:00

NXH800H120L7QDSG規(guī)格書詳情

General Description

The NXH800H120L7QDSG is a 1200 V 800 A rated half bridge

IGBT power module. The integrated Field Stop Trench 7 IGBTs

and Gen. 7 diodes provide lower conduction losses and switching

losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior

reliability.

Features

? 1200 V, 800 A 2 in 1 Half Bridge Configuration IGBT Power

Module

? Field Stop Trench 7 IGBTs & Gen.7 Diodes

? NTC Thermistor

? Isolated Base Plate

? Solderable Pins

? Low Inductive Layout

? This is a Pb?Free Device

Typical Applications

? Motor Drives

? Servo Drives

? Solar Drives

? Uninterruptible Power Supply Systems (UPS)

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