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NXH80B120MNQ0SNG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NXH80B120MNQ0SNG |
| 參數(shù)屬性 | NXH80B120MNQ0SNG 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：PIM POWER MODULE |
| 功能描述 | Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 80 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 20 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | Q0BOOST / 模塊 |
| 文件大小 |
679.76 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-10 13:16:00 |
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NXH80B120MNQ0SNG規(guī)格書詳情
NXH80B120MNQ0SNG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH80B120MNQ0SNG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
The NXH80B120MNQ0SNG is a power module containing a dual
boost stage. The integrated SiC MOSFETs and SiC Diodes provide
lower conduction losses and switching losses, enabling designers to
achieve high efficiency and superior reliability.
Features
? 1200 V 80 m SiC MOSFETs
? Low Reverse Recovery and Fast Switching SiC Diodes
? 1600 V Bypass and Anti?parallel Diodes
? Low Inductive Layout
? Solderable Pins
? Thermistor
? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
Typical Applications
? Solar Inverters
? Uninterruptable Power Supplies
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NXH80B120MNQ0SNG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤
- 配置：
雙路升壓斬波器
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
- 描述：
PIM POWER MODULE
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
2000 |
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- |
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onsemi |
24+ |
模塊 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價 |
