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NXH80B120H2Q0SG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NXH80B120H2Q0SG |
| 參數(shù)屬性 | NXH80B120H2Q0SG 包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：PIM 1200V, 40A DUAL BOOST |
| 功能描述 | Dual Boost Power Module |
| 文件大小 |
267.92 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-18 23:00:00 |
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NXH80B120H2Q0SG規(guī)格書詳情
NXH80B120H2Q0SG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH80B120H2Q0SG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NXH80B120H2Q0SG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤
- 描述：
PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價 | |||
ONSEMI |
22 |
SOP12 |
4500 |
全新、原裝 |
詢價 | ||
ON |
1922 |
40 |
公司優(yōu)勢庫存 熱賣中! |
詢價 | |||
ON Semiconductor |
23+ |
20PIM/Q0PACK (55x32.5) |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
22+ |
24000 |
原裝正品現(xiàn)貨,實單可談,量大價優(yōu) |
詢價 | |||
ON Semiconductor |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
ON |
2023 |
NA |
5018 |
原廠代理渠道,正品保障 |
詢價 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
20PIM/Q0PACK (55x32.5) |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ON |
19+ |
MOUDEL |
24 |
全新原裝只做自己庫存只做原裝 |
詢價 |
