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PBRN113ET

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=1kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *HighcurrentgainhFE *Reducescomponentcount *Built-inbiasresistors *Reducespickandplacecosts *Simplifiescircuitdesign *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBRN113ET-Q

40V,600mANPNPBRET;R1=1kΩ,R2=1kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ET-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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PBRN113Z

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PBRN113Z

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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PBRN113Z_SER

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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PBRN113ZK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PBRN113ZK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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PBRN113ZS

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PBRN113ZS

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBRN113ZT

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    OP113ESZ

  • 功能描述：

    IC OPAMP GP 3.4MHZ LN 40MA 8SOIC

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    2,500

  • 放大器類型：

    通用

  • 電路數(shù)：

    4

  • 輸出類型：

    -

  • 轉換速率：

    0.6 V/µs

  • 增益帶寬積：

    1MHz

  • -3db帶寬：

    - 電流 -

  • 輸入偏壓：

    45nA 電壓 -

  • 輸入偏移：

    2000µV 電流 -

  • 電源：

    1.4mA 電流 -

  • 輸出/通道：

    40mA 電壓 -

  • 電源，單路/雙路(±)：

    3 V ~ 32 V，±1.5 V ~ 16 V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    14-TSSOP（0.173，4.40mm 寬）

  • 供應商設備封裝：

    14-TSSOP

  • 包裝：

    帶卷(TR)

  • 其它名稱：

    LM324ADTBR2G-NDLM324ADTBR2GOSTR

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Analog Devices Inc.
24+
8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
25000
in stock線性IC-原裝正品
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更多OP113ESZ供應商 更新時間2025-5-7 18:23:00

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