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PBRN113ZT

40V,600mANPNPBRET;R1=1kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ZT 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN113ZT

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN113ZT-Q

40V,600mANPNPBRET;R1=1kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ZT-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRP113ET

PNP800mA,40VBISSRET;R1=1kW,R2=1kW

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRP113ET

40V,600mAPNPPBRET;R1=1kΩ,R2=1kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN113ET 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRP113ET-Q

40V,600mAPNPPBRET;R1=1kΩ,R2=1kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN113ET-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRP113ZT

PNP800mA,40VBISSRET;R1=1kW,R2=10kW

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRP113ZT

40V,600mAPNPPBRET;R1=1kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN113ZT 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRP113ZT-Q

40V,600mAPNPPBRET;R1=1kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN113ZT-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PC113

StepUpConverterforWhiteLEDDriver

SITI

Silicon Touch Technology Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    OP113ESZ

  • 功能描述：

    IC OPAMP GP 3.4MHZ LN 40MA 8SOIC

  • RoHS：

    是

  • 類(lèi)別：

    集成電路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    2,500

  • 放大器類(lèi)型：

    通用

  • 電路數(shù)：

    4

  • 輸出類(lèi)型：

    -

  • 轉(zhuǎn)換速率：

    0.6 V/µs

  • 增益帶寬積：

    1MHz

  • -3db帶寬：

    - 電流 -

  • 輸入偏壓：

    45nA 電壓 -

  • 輸入偏移：

    2000µV 電流 -

  • 電源：

    1.4mA 電流 -

  • 輸出/通道：

    40mA 電壓 -

  • 電源，單路/雙路(±)：

    3 V ~ 32 V，±1.5 V ~ 16 V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    14-TSSOP（0.173，4.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    14-TSSOP

  • 包裝：

    帶卷(TR)

  • 其它名稱(chēng)：

    LM324ADTBR2G-NDLM324ADTBR2GOSTR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Analog Devices Inc.
24+
8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
25000
in stock線性IC-原裝正品
 詢價(jià)
ADI
2019
SOP8
23100
原裝正品鉆石品質(zhì)假一賠十
 詢價(jià)
ADI/亞德諾
24+
SOP-8
9473
原裝優(yōu)勢(shì)公司現(xiàn)貨!
 詢價(jià)
ADI(亞德諾)
24+
SOIC-8
7862
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
 詢價(jià)
ADI/亞德諾
25+
SOP
154978
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ADI/亞德諾
24+
NA
5000
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤(pán)。
 詢價(jià)
ADI/亞德諾
SOP8
23+
6000
專(zhuān)業(yè)配單原裝正品假一罰十
 詢價(jià)
ADI/LINEAR
24+
SOP
58209
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
ADI
2016+
SOP8
3526
假一罰十進(jìn)口原裝現(xiàn)貨原盤(pán)原標(biāo)!
 詢價(jià)
ADI
2015+
SOP/DIP
13998
一級(jí)代理AD原裝現(xiàn)貨,特價(jià)熱賣(mài)!
 詢價(jià)
更多OP113ESZ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-7 18:23:00

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