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PHD10N10E	文件：298.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
PHD10N10E	文件：76.28 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuuitableforsurfacemounting.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andingeneralpurposeswitchingapplicatio	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHP10N10E	文件：71.22 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelope.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andingeneralpurposeswitchingapplications.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PJD10N10	文件：385.39 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
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深圳廊盛科技有限公司	P10N10	MOTOROLA/摩托羅拉	2022	DIP	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	P10N10	N/A	23+	SMDDIP	56688	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
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