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28F020	文件：878.8 Kbytes Page：38 Pages	28F0202048K(256KX8)CMOSFLASHMEMORY Intel’s28F020CMOSflashmemoryoffersthemostcost-effectiveandreliablealternativeforread/writerandomaccessnonvolatilememory.The28F020addselectricalchip-erasureandreprogrammingtofamiliarEPROMtechnology.Memorycontentscanberewritten:inatestsocket;inaPROM-programmer	IntelIntel Corporation 英特爾	Intel
AM28F020	文件：509.2 Kbytes Page：35 Pages	2Megabit(256Kx8-Bit)CMOS12.0Volt,BulkEraseFlashMemory GENERALDESCRIPTION TheAm28F020isa2MegabitFlashmemoryorganizedas256Kbytesof8bitseach.AMD’sFlashmemoriesofferthemostcost-effectiveandreliableread/writenon-volatilerandomaccessmemory.TheAm28F020ispackagedin32-pinPDIP,PLCC,andTSOPversions.Itisdesignedto	AMDAdvanced Micro Devices 超威半導(dǎo)體美國超威半導(dǎo)體公司	AMD
AM28F020A	文件：470.07 Kbytes Page：35 Pages	2Megabit(256Kx8-Bit)CMOS12.0Volt,BulkEraseFlashMemorywithEmbeddedAlgorithms TheAm28F020Aisa2MegabitFlashmemoryorganizedas256Kbytesof8bitseach.AMD’sFlashmemoriesofferthemostcost-effectiveandreliableread/writenon-volatilerandomaccessmemory.TheAm28F020Aispackagedin32-pinPDIP,PLCC,andTSOPversions.Itisdesignedtobereprogrammedande	AMDAdvanced Micro Devices 超威半導(dǎo)體美國超威半導(dǎo)體公司	AMD
CAT28F020	文件：100.28 Kbytes Page：14 Pages	2MegabitCMOSFlashMemory DESCRIPTION TheCAT28F020isahighspeed256Kx8-bitelectricallyerasableandreprogrammableFlashmemoryideallysuitedforapplicationsrequiringin-systemorafter-salecodeupdates.Electricalerasureofthefullmemorycontentsisachievedtypicallywithin0.5second. FEATURES ■FastRe	Catalyst Catalyst Semiconductor	Catalyst
CAT28F020	文件：358.99 Kbytes Page：16 Pages	2MegabitCMOSFlashMemory DESCRIPTION TheCAT28F020isahighspeed256Kx8-bitelectricallyerasableandreprogrammableFlashmemoryideallysuitedforapplicationsrequiringin-systemorafter-salecodeupdates.Electricalerasureofthefullmemorycontentsisachievedtypicallywithin0.5second. FEATURES ■Fastre	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
CAT28F020	文件：431.16 Kbytes Page：15 Pages	2MegabitCMOSFlashMemory	Catalyst Catalyst Semiconductor	Catalyst
CAT28F020	文件：113.01 Kbytes Page：16 Pages	2MegabitCMOSFlashMemory	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
CAT28F020	文件：113.01 Kbytes Page：16 Pages	2MegabitCMOSFlashMemory	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
CAT28F020	文件：113.01 Kbytes Page：16 Pages	2MegabitCMOSFlashMemory	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
IS28F020	文件：695.25 Kbytes Page：18 Pages	262,144x8CMOSFLASHMEMORY 262,144x8CMOSFLASHMEMORY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS28F020BL	文件：1.88332 Mbytes Page：39 Pages	262,144x8SmartVoltageBOOTBLOCKFLASHMEMORY 262,144x8SmartVoltageBOOTBLOCKFLASHMEMORY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS28F020BLV	文件：1.88332 Mbytes Page：39 Pages	262,144x8SmartVoltageBOOTBLOCKFLASHMEMORY 262,144x8SmartVoltageBOOTBLOCKFLASHMEMORY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS28F020BV	文件：1.88332 Mbytes Page：39 Pages	262,144x8SmartVoltageBOOTBLOCKFLASHMEMORY 262,144x8SmartVoltageBOOTBLOCKFLASHMEMORY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS28F020BVB	文件：1.88332 Mbytes Page：39 Pages	262,144x8SmartVoltageBOOTBLOCKFLASHMEMORY 262,144x8SmartVoltageBOOTBLOCKFLASHMEMORY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
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LH28F020SU-L	文件：245.48 Kbytes Page：31 Pages	2M(256K?8)FlashMemory	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美國夏普微電子公司（SMA）	SHARP
LH28F020SU-N	文件：241.4 Kbytes Page：31 Pages	2M(256K?8)FlashMemory INTRODUCTION Sharp’sLH28F020SU-N2MFlashMemoryisarevolutionaryarchitecturewhichenablesthedesignoftrulymobile,highperformance,personalcomputingandcommunicationproducts.Withinnovativecapabilities,5.0Vsinglevoltageoperationsandveryhighread/writeperformance,theLH28	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美國夏普微電子公司（SMA）	SHARP
TMS28F020	文件：317.83 Kbytes Page：21 Pages	LatchupImmunityof250mAonAllInput	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
TMS28F020	文件：312.48 Kbytes Page：21 Pages	262144BY8-BITFLASHMEMORY	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI

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