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P3055LD	文件：216.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
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P3055LDG	文件：1.01546 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
P3055LLG	文件：174.63 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor [NIKO-SEM] N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor SOT-223Lead-Free	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
P3055LS	文件：215.74 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor [NIKO-SEM] N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
P3055LSG	文件：144.76 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor [NIKO-SEM] N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
PHD3055E	文件：72.46 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHD3055E	文件：103.08 Kbytes Page：10 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHD3055E	文件：220.35 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ■Lowconduc	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
PHD3055E	文件：1.00397 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee APPLICATIONS ?DC/DCConverters ?DC/ACInverters ?MotorDrives	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHD3055L	文件：55.33 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intend	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHP3055	文件：103.08 Kbytes Page：10 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHP3055E	文件：103.08 Kbytes Page：10 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHP3055E	文件：248.27 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly Featuresandbenefits ■Lowconduct	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
PHP3055L	文件：52.23 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePo	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHX3055E	文件：96.6 Kbytes Page：8 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopewithanelectricallyisolatedmountingtab.Thedeviceuses’trench’technologytoachievelowon-stateresistance. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching ?	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHX3055L	文件：56.77 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticfull-packenvelope.Thedevicefeatureshighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intendedforus	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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PVA3055NPBF	文件：1.0018 Mbytes Page：6 Pages	MicroelectronicPowerICHEXFET?PowerMOSFETPhotovoltaicRelaySingle-Pole,Normally-Open0-300VAC/DC,50mA	IRF International Rectifier	IRF

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深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	P3055E	MOTOROLA	23+	TO220	66800	原廠授權一級代理,專注汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！	詢價
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深圳市大聯(lián)智電子有限公司	P3055E	DLZ	22+	TO220	354000		詢價
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司	P3055E	MOT	2001	TO220	48	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	P3055E	MOT	2235+	TO220	4785	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
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