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PBSS4032SP中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PBSS4032SP
廠商型號

PBSS4032SP

功能描述

30 V, 4.8 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor

絲印標識

4032SP

封裝外殼

SO8

文件大小

837.72 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-18 17:08:00

PBSS4032SP規(guī)格書詳情

General description

PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Features and benefits

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ Optimized switching time

■ High collector current capability IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High efficiency due to less heat generation

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ DC-to-DC conversion

■ Battery-driven devices

■ Power management

■ Charging circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PBSS4032SP

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    TRANSISTORPNP/PNP30VSO8

  • 功能描述:

    TRANSISTOR,PNP/PNP,30V,SO8

  • 功能描述:

    TRANSISTOR,PNP/PNP,30V,SO8, Transistor

  • Polarity:

    PNP, Collector Emitter Voltage V

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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