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PBSS4130T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS4130T
廠商型號

PBSS4130T

參數(shù)屬性

PBSS4130T 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 30V 1A TO236AB

功能描述

30 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

文件大小

169.83 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-3 22:21:00

PBSS4130T規(guī)格書詳情

FEATURES

· Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

· High collector current capability IC and ICM

· High efficiency leading to less heat generation

· Reduced printed-circuit board requirements

· Cost effective alternative to MOSFETs in specific

applications.

APPLICATIONS

· Power management

– DC/DC conversion

– Supply line switching

– Battery charger

– LCD backlighting.

· Peripheral driver

– Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps

and LEDs)

– Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and

motors).

DESCRIPTION

NPN BISS transistor in a SOT23 plastic package providing

ultra low VCEsat and RCEsat parameters.

PNP complement: PBSS5130T.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS4130T,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    270mV @ 50mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 500mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 1A TO236AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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