PBSS4130T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
PBSS4130T |
參數(shù)屬性 | PBSS4130T 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 30V 1A TO236AB |
功能描述 | 30 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
文件大小 |
169.83 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企業(yè)簡稱 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-3 22:21:00 |
PBSS4130T規(guī)格書詳情
FEATURES
· Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
· High collector current capability IC and ICM
· High efficiency leading to less heat generation
· Reduced printed-circuit board requirements
· Cost effective alternative to MOSFETs in specific
applications.
APPLICATIONS
· Power management
– DC/DC conversion
– Supply line switching
– Battery charger
– LCD backlighting.
· Peripheral driver
– Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps
and LEDs)
– Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and
motors).
DESCRIPTION
NPN BISS transistor in a SOT23 plastic package providing
ultra low VCEsat and RCEsat parameters.
PNP complement: PBSS5130T.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
PBSS4130T,215
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
270mV @ 50mA,1A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
300 @ 500mA,2V
- 頻率 - 躍遷:
100MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-236AB
- 描述:
TRANS NPN 30V 1A TO236AB
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-23 |
54258 |
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NXP/恩智浦 |
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NXP/恩智浦 |
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SOT-23 |
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SOT-23 |
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