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PD54008TR-E分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PD54008TR-E |
| 參數(shù)屬性 | PD54008TR-E 封裝/外殼為PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線） |
| 文件大小 |
431.29 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
28 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
| 中文名稱 | 意法半導體集團官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-14 13:47:00 |
PD54008TR-E規(guī)格書詳情
PD54008TR-E屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的PD54008TR-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
Description
The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 7 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. The device boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. Device’s superior linearity performance makes it an ideal solution for portable radio.
Features
■ Excellent thermal stability
■ Common source configuration
■ POUT = 8 W with 11.5dB gain @ 500 MHz/7.5 V
■ New RF plastic package
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PD54008TR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
500MHz
- 增益：
11.5dB
- 額定電流（安培）：
5A
- 功率 - 輸出：
8W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）
- 供應商器件封裝：
PowerSO-10RF（成形引線）
- 描述：
TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
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