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PD57006-E分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PD57006-E
廠商型號

PD57006-E
參數(shù)屬性

PD57006-E 封裝/外殼為PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）；包裝為帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
功能描述

RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
封裝外殼

PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）
文件大小

512.2 Kbytes
頁面數(shù)量

22 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-19 9:38:00
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PD57006-E規(guī)格書詳情

PD57006-E屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的PD57006-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    PD57006-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    帶

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    945MHz

  • 增益：

    15dB

  • 額定電流（安培）：

    1A

  • 功率 - 輸出：

    6W

  • 封裝/外殼：

    PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）

  • 供應商器件封裝：

    PowerSO-10RF（成形引線）

  • 描述：

    FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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