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PFVS.170	文件：120.07 Kbytes Page：2 Pages	AxialleadedPTC-Fuses	SCHURTERSchurter Inc. 碩特碩特集團	SCHURTER
PFVS.170.S	文件：120.07 Kbytes Page：2 Pages	AxialleadedPTC-Fuses	SCHURTERSchurter Inc. 碩特碩特集團	SCHURTER
PIC-Q170	文件：857.07 Kbytes Page：2 Pages	7/6thGenIntelCoreFullSizePICMG1.3	DFIDFI Inc 友通資訊友通資訊股份有限公司	DFI
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PKM170AB	文件：257.29 Kbytes Page：2 Pages	Glasspassiatedjunction	SPSEMIStarHope 瞬雷電子上海瞬雷科技有限公司	SPSEMI
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PKN170AB	文件：255.37 Kbytes Page：2 Pages	Glasspassiatedjunction	SPSEMIStarHope 瞬雷電子上海瞬雷科技有限公司	SPSEMI
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PLA170	文件：625.88 Kbytes Page：5 Pages	SinglePoleOptoMOSRelay Description ThePLA170isa1-Form-ASolidStateRelaywhichusesopticallycoupledMOSFETtechnologytoprovideenhancedinput-to-outputisolationof3750Vrms.TheefficientMOSFETswitchesandphotovoltaicdieuseClare’spatentedOptoMOS?architecture. Features ?100SolidState ?Small6	Clare Clare, Inc.	Clare
PLA170	文件：122.93 Kbytes Page：7 Pages	Single-Pole,NormallyOpenOptoMOSRelay Description PLA170isasingle-pole,normallyopen(1-Form-A)SolidStateRelaythatusesopticallycoupledMOSFETtechnologytoprovideanenhancedinput-to-outputisolationof3750Vrms. Itsopticallycoupledoutputs,whichusethepatentedOptoMOSarchitecture,arecontrolledbyahighlyeffic	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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PLA170S	文件：122.93 Kbytes Page：7 Pages	Single-Pole,NormallyOpenOptoMOSRelay Description PLA170isasingle-pole,normallyopen(1-Form-A)SolidStateRelaythatusesopticallycoupledMOSFETtechnologytoprovideanenhancedinput-to-outputisolationof3750Vrms. Itsopticallycoupledoutputs,whichusethepatentedOptoMOSarchitecture,arecontrolledbyahighlyeffic	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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PLA170STR	文件：122.93 Kbytes Page：7 Pages	Single-Pole,NormallyOpenOptoMOSRelay Description PLA170isasingle-pole,normallyopen(1-Form-A)SolidStateRelaythatusesopticallycoupledMOSFETtechnologytoprovideanenhancedinput-to-outputisolationof3750Vrms. Itsopticallycoupledoutputs,whichusethepatentedOptoMOSarchitecture,arecontrolledbyahighlyeffic	IXYS IXYS Corporation	IXYS
PMBF170	文件：56.11 Kbytes Page：8 Pages	N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT23envelope.DesignedforuseasaSurfaceMountedDevice(SMD)inthinandthick-filmcircuitswithapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-s	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PMBF170	文件：379.48 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?1technology. Productavailability: PMBF170inSOT23. 2.Features nTrenchMOS?technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSubminiaturesurfacemountpackage. 3.Applica	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMF170A	文件：752.937 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPESSORDIODE	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE

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更多PDCV170JU供應(yīng)商更新時間2025-1-3 12:12:00

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