PDTB123TT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PDTB123TT |
| 參數(shù)屬性 | PDTB123TT 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB |
| 功能描述 | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = open |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
128.57 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-20 13:27:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PDTB123TT,215
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 50mA，5V
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
300mV @ 2.5mA，50mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
500nA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
2024+ |
SOT23 |
188600 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨 歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
NXP |
23+ |
170 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | |||
Nexperia/安世 |
22+ |
SOT23 |
360000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NXP |
08+ |
SOT23 |
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