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PHT11N06T	文件：75.34 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technologythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotection.ItisintendedforuseinDC	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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詳細參數(shù)

型號：
PHT11N06
功能描述：
MOSFET TAPE13 PWRMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

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更多PHT11N06供應商更新時間2025-1-15 16:36:00

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