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PMDT290UCE	文件：334.71 Kbytes Page：20 Pages	20 / 20 V, 800 / 550 mA N/P-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription ComplementaryN/P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmall andflatleadSOT666Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 2.Featuresandbenefits ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETtechnology ?ESD	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMDT290UCE	文件：255.89 Kbytes Page：20 Pages	20 / 20 V, 800 / 550 mA N/P-channel Trench MOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PMDT290UNE	文件：186.61 Kbytes Page：16 Pages	20V,800mAdualN-channelTrenchMOSFET	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PMDT290UNE	文件：270.54 Kbytes Page：14 Pages	20V,800mAdualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallandflatlead SOT666Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETtechnology ?ESDprotection	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMDXB290UNE	文件：303.77 Kbytes Page：14 Pages	20V,dualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1010B-6(SOT1216)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMO	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PME290	文件：49.15 Kbytes Page：2 Pages	EMIsuppressor,classesX1andY2,metallizedpaper	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
PMF290XN	文件：91.42 Kbytes Page：12 Pages	N-channelmTrenchMOSextremelylowlevelFET	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PMF290XN	文件：209.74 Kbytes Page：13 Pages	N-channelmTrenchMOS?extremelylowlevelFET 1.1Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?technology. 1.2Features 1.3Applications nSurfacemountedpackagenFootprint40smallerthanSOT23 nLowon-stateresistancenLowthresholdvoltage. nDrivercircuitsnSwitchingin	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMGD290UCEA	文件：788.94 Kbytes Page：21 Pages	20/20V,725/500mAN/P-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMGD290XN	文件：96.16 Kbytes Page：12 Pages	DualN-channelmTrenchMOSextremelylowlevelFET	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PMGD290XN	文件：1.59213 Mbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PMGD290XN	文件：214.25 Kbytes Page：13 Pages	DualN-channelmTrenchMOS?extremelylowlevelFET 1.1Description DualN-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?technology. 1.2Features 1.3Applications nSurfacemountedpackagenFootprint40smallerthanSOT23 nDualdevicenFastswitching nLowon-stateresistancenLowthresholdvoltag	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMR290UNE	文件：194.11 Kbytes Page：16 Pages	20V,700mAN-channelTrenchMOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PMR290UNE	文件：472.03 Kbytes Page：17 Pages	20V,700mAN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT416(SC-75) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETtechnology ?ESDprotectionupto2kV ?AE	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMR290XN	文件：209.96 Kbytes Page：13 Pages	N-channelmTrenchMOS??extremelylowlevelFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMZ290UN	文件：336.28 Kbytes Page：16 Pages	20V,singleN-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMZ290UNE	文件：707.04 Kbytes Page：14 Pages	20V,N-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMZB290UN	文件：706.44 Kbytes Page：15 Pages	20V,singleN-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMZB290UNE	文件：959.15 Kbytes Page：15 Pages	20V,singleN-channelTrenchMOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PMZB290UNE	文件：1.55927 Mbytes Page：15 Pages	20V,singleN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits ?Veryfastswitching ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFE	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
PMDT290UCE
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
MOSFET N/P CH 20/20V 800/550MASOT666
功能描述：
MOSFET, N/P CH, 20/20V, 800/550MA,SOT666
功能描述：
MOSFET, N/P CH, 20/20V, 800/550MA,SOT666, Transistor
Polarity：
N and P Complement

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	PMDT290UCE	NXP(恩智浦)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	15048	全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障	詢價
深圳市賽芯源科技有限公司	PMDT290UCE	NXP	2019+	SOT-666	6000000	原裝正品誠信經(jīng)營。	詢價
深圳市華睿芯科技有限公司	PMDT290UCE	NEXPERIA/安世	23+	SOT666	20000	原廠原裝,正品現(xiàn)貨,假一罰十	詢價
深圳硅原半導(dǎo)體有限公司	PMDT290UCE	NEXPERIA/安世	23+	SOT666	23659	誠心經(jīng)營原盒原標(biāo) 正品現(xiàn)貨價格美麗假一罰十	詢價
深圳市柯爾基電子有限公司	PMDT290UCE	NEXPERIA/安世	23+/24+	SOT666	9865	原盒原標(biāo) 正品現(xiàn)貨價格美麗終端BOM表可配單	詢價
深圳市中福國際管理有限公司	PMDT290UCE	NEXPERIA/安世	23+	SOT-563	360000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低	詢價
深圳市達(dá)恩科技有限公司	PMDT290UCE	Nexperia	18+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	PMDT290UCE	NXP	2018+	SOT666	11256	只做進(jìn)口原裝正品!假一賠十!	詢價
深圳兆威電子有限公司	PMDT290UCE	NEXPERIA	23+	SOT666	63000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	PMDT290UCE	NXP	20+	SOT563	36800	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價

更多PMDT290UCE供應(yīng)商更新時間2025-1-11 14:47:00

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