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PMPB07R3VP

Marking：ZK；Package：SOT1220-2；12 V, P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020M-6(SOT1220-2)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtechnology ?Small

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMPB07R3EN

30V,N-channelTrenchMOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020M-6(SOT1220-2)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Logic-levelcompatible ?UltralowQG,QGDforhighsystem

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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Nexperia
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更多PMPB07R3VP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-4 10:34:00

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