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PTAB182002TCV2R250分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PTAB182002TCV2R250 |
| 參數(shù)屬性 | PTAB182002TCV2R250 封裝/外殼為H-37248-4；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC AMP RF LDMOS |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET |
| 封裝外殼 | H-37248-4 |
| 文件大小 |
179.4 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-3 16:00:00 |
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PTAB182002TCV2R250規(guī)格書(shū)詳情
PTAB182002TCV2R250屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTAB182002TCV2R250晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PTAB182002TCV2R250XUMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
LDMOS（雙），共源
- 頻率：
1.805GHz ~ 1.88GHz
- 增益：
14.8dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
180W
- 封裝/外殼：
H-37248-4
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-37248-4
- 描述：
IC AMP RF LDMOS
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
H-37248-4 |
22+ |
56000 |
全新原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
23+ |
7000 |
詢價(jià) | ||||
Infineon Technologies |
2022+ |
H-49248H-4 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA |
15000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
21+ |
H-49248H-4 |
20000 |
100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))! |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
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詢價(jià) | |||
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詢價(jià) |
