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PTAB182002TCV2R250分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
PTAB182002TCV2R250 |
參數(shù)屬性 | PTAB182002TCV2R250 封裝/外殼為H-37248-4;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET |
封裝外殼 | H-37248-4 |
文件大小 |
179.4 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-13 18:28:00 |
人工找貨 | PTAB182002TCV2R250價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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PTAB182002TCV2R250規(guī)格書詳情
PTAB182002TCV2R250屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTAB182002TCV2R250晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
PTAB182002TCV2R250XUMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
LDMOS(雙),共源
- 頻率:
1.805GHz ~ 1.88GHz
- 增益:
14.8dB
- 額定電流(安培):
10μA
- 功率 - 輸出:
180W
- 封裝/外殼:
H-37248-4
- 供應商器件封裝:
H-37248-4
- 描述:
IC AMP RF LDMOS
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
15+ |
SMD |
20 |
只有現(xiàn)貨只有原裝 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
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MOTOROLA/摩托羅拉 |
23+ |
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原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
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INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
H49248H4 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
H-49248H-4 |
20000 |
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Infineon Technologies |
2022+ |
H-49248H-4 |
38550 |
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詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
8000 |
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詢價 | |||
Infineon Technologies |
23+ |
7000 |
詢價 | ||||
INFINEON/英飛凌 |
H-37248-4 |
22+ |
56000 |
全新原裝進口,假一罰十 |
詢價 |