首頁>PTFA082201E>規(guī)格書詳情

PTFA082201E分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTFA082201E
廠商型號

PTFA082201E

參數(shù)屬性

PTFA082201E 封裝/外殼為H-36260-2;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 894MHZ H-36260-2

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 869 ??894 MHz
FET RF 65V 894MHZ H-36260-2

封裝外殼

H-36260-2

文件大小

352.6 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-18 17:19:00

PTFA082201E規(guī)格書詳情

PTFA082201E屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA082201E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTFA082201EV4R250XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    894MHz

  • 增益:

    18dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    220W

  • 封裝/外殼:

    H-36260-2

  • 供應商器件封裝:

    H-36260-2

  • 描述:

    FET RF 65V 894MHZ H-36260-2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON
24+
SMD
5500
長期供應原裝現(xiàn)貨實單可談
詢價
INFINEON
NA
699839
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價
INFINEON
1844+
NA
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!!
詢價
INFINEON/英飛凌
21+
H372602
13880
公司只售原裝,支持實單
詢價
INFIEON
15+
射頻管
35
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
INFINEON/英飛凌
2019+
SMD
6992
原廠渠道 可含稅出貨
詢價
LNFINEON
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
詢價
INFINEON/英飛凌
2023+
SMD
8635
一級代理優(yōu)勢現(xiàn)貨,全新正品直營店
詢價
INF
24+
40
詢價
INFINEO
2020+
NA
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
詢價