PTFA091201FV4R250 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 INFINEON/英飛凌

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  • 廠家型號(hào):

    PTFA091201FV4R250

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    INFINEON/英飛凌

  • 庫存數(shù)量:

    7000

  • 產(chǎn)品封裝:

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    23+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時(shí)間:

    2024-11-1 15:00:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):PTFA091201FV4R250品牌:INFINEON

PTFA091201FV4R250是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭的PTFA091201FV4R250晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào):

    PTFA091201FV4R250

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    10 頁

  • 文件大小:

    8758.84 kb

  • 資料說明:

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PTFA091201FV4R250XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz

  • 增益:

    19dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    110W

  • 封裝/外殼:

    2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-37248-2

  • 描述:

    IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    天津市博通航睿技術(shù)有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    馬總

  • 手機(jī):

    18322198211

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    18322198211

  • 地址:

    天津市南開區(qū)科研西路12號(hào)356室