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PTFA091201G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 INFINEON/英飛凌

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  • 廠家型號(hào)：

    PTFA091201G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    7000

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-28 15:00:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：PTFA091201G品牌：INFINEON

PTFA091201G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝NA/2-扁平封裝，葉片引線的PTFA091201G晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào)：

    PTFA091201GL

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大小：

    288.04 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 120 W, 920 ??960 MHz

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PTFA091201GL V1 R250

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    960MHz

  • 增益：

    18.5dB

  • 額定電流（安培）：

    10μA

  • 功率 - 輸出：

    110W

  • 封裝/外殼：

    2-扁平封裝，葉片引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-63248-2

  • 描述：

    IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    天津市博通航睿技術(shù)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    馬總

  • 手機(jī)：

    18322198211

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    18322198211

  • 地址：

    天津市南開(kāi)區(qū)科研西路12號(hào)356室

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