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PTFA091201FV4R250分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTFA091201FV4R250
廠商型號(hào)

PTFA091201FV4R250
參數(shù)屬性

PTFA091201FV4R250 封裝/外殼為2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2
功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs
IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2
封裝外殼

2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭
文件大小

8.75884 Mbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-15 13:41:00

PTFA091201FV4R250規(guī)格書詳情

PTFA091201FV4R250屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA091201FV4R250晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PTFA091201FV4R250XTMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    960MHz

  • 增益：

    19dB

  • 額定電流（安培）：

    10μA

  • 功率 - 輸出：

    110W

  • 封裝/外殼：

    2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    H-37248-2

  • 描述：

    IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon Technologies
22+
H372482
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
NA
12000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
Infineon Technologies
21+
H-37248-2
21000
100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))!
 詢價(jià)
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
 詢價(jià)
INF/ERICSSON
2022+
原廠原封
57550
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
INFINEON
23+
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON
2017+
NA
28562
只做原裝正品假一賠十!
 詢價(jià)
INFINEON
24+
NA
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
Infineon
1931+
N/A
493
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 詢價(jià)

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