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PTFA091201FV4R250XTMA1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTFA091201FV4R250XTMA1
廠商型號

PTFA091201FV4R250XTMA1

參數(shù)屬性

PTFA091201FV4R250XTMA1 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs
IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2

封裝外殼

2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

文件大小

8.75884 Mbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-30 8:50:00

PTFA091201FV4R250XTMA1規(guī)格書詳情

PTFA091201FV4R250XTMA1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA091201FV4R250XTMA1晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTFA091201FV4R250XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz

  • 增益:

    19dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    110W

  • 封裝/外殼:

    2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-37248-2

  • 描述:

    IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon Technologies
23+
H372482
7000
詢價
INFINEON/英飛凌
24+
NA
12000
原裝正品現(xiàn)貨
詢價
INF/ERICSSON
2022+
原廠原封
57550
詢價
Infineon Technologies
2022+
H-37248-2
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
INFINEON/英飛凌
23+
NA
89630
當天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
詢價
Infineon Technologies
21+
H-37248-2
21000
100%進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)!
詢價
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
詢價
INFINEON/英飛凌
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
詢價
Infineon Technologies
23+
H372482
8000
只做原裝現(xiàn)貨
詢價
Infineon Technologies
22+
H372482
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價