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PTFB211803FL分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PTFB211803FL
廠商型號(hào)

PTFB211803FL

參數(shù)屬性

PTFB211803FL 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 180 W, 2110 ??2170 MHz
IC AMP RF LDMOS

封裝外殼

2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

文件大小

477.68 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-11 8:10:00

PTFB211803FL規(guī)格書(shū)詳情

PTFB211803FL屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFB211803FL晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PTFB211803FLV2R250XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.17GHz

  • 增益:

    17.5dB

  • 功率 - 輸出:

    40W

  • 封裝/外殼:

    2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-34288-4/2

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
23+
H-34288-4
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當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
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H-34288-4/2
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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INFINEON
23+
H-34288-4
8000
只做原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)