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PTFB211803FLV2R0分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTFB211803FLV2R0
廠商型號

PTFB211803FLV2R0

參數(shù)屬性

PTFB211803FLV2R0 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS H-34288-4

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs
IC AMP RF LDMOS H-34288-4

封裝外殼

2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

文件大小

819.39 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-8 18:48:00

PTFB211803FLV2R0規(guī)格書詳情

PTFB211803FLV2R0屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFB211803FLV2R0晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTFB211803FLV2R0XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.17GHz

  • 增益:

    17.5dB

  • 功率 - 輸出:

    40W

  • 封裝/外殼:

    2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

  • 供應商器件封裝:

    H-34288-4/2

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS H-34288-4

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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