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PTFB211803FLV2R0分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
![PTFB211803FLV2R0](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠商型號 |
PTFB211803FLV2R0 |
參數(shù)屬性 | PTFB211803FLV2R0 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS H-34288-4 |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs |
封裝外殼 | 2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭 |
文件大小 |
819.39 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-8 18:48:00 |
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更多PTFB211803FLV2R0規(guī)格書詳情
PTFB211803FLV2R0屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFB211803FLV2R0晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
PTFB211803FLV2R0XTMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
2.17GHz
- 增益:
17.5dB
- 功率 - 輸出:
40W
- 封裝/外殼:
2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭
- 供應商器件封裝:
H-34288-4/2
- 描述:
IC AMP RF LDMOS H-34288-4
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
20+ |
H-33288-6 |
29516 |
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詢價 | ||
INFINEON |
2310+ |
NA |
3886 |
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詢價 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
H342884/2 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
TO-61 |
20000 |
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詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
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詢價 | ||
INFINEON |
2017+ |
NA |
28562 |
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Infineon Technologies |
2022+ |
H-34288-4/2 |
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Infineon Technologies |
23+ |
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INFINEON/英飛凌 |
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Infineon Technologies |
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2-扁平封裝 葉片引線 帶法蘭 |
9350 |
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詢價 |