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PTFC270101M-V1-R1K分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTFC270101M-V1-R1K
廠商型號(hào)

PTFC270101M-V1-R1K

參數(shù)屬性

PTFC270101M-V1-R1K 封裝/外殼為10-LDFN 裸露焊盤;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RFP-LD10M

功能描述

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 28 V, 900 – 2700 MHz
RFP-LD10M

文件大小

933.41 Kbytes

頁面數(shù)量

22

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-12-28 20:33:00

PTFC270101M-V1-R1K規(guī)格書詳情

PTFC270101M-V1-R1K屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的PTFC270101M-V1-R1K晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The PTFC270101M is an unmatched 10-watt LDMOS FET suitable

for power amplifier applications with frequencies from 900 MHz to

2700 MHz. This LDMOS transistor offers excellent gain, efficiency

and linearity performance in a small overmolded plastic package

Features

? Unmatched input and output

? Typical CW performance, 2170 MHz, 28 V

- Output power @ P1dB = 10 W

- Gain = 20 dB

- Efficiency = 60

? Typical two-carrier WCDMA performance, 2170 MHz, 28

V, 8 dB PAR

- Output power = 1.3 W avg

- Gain = 21 dB

- Efficiency = 21

- ACPR = –44.9 dBc @ 5 MHz

? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 10 W (CW)

output power

? Integrated ESD protection

? Pb-free and RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PTFC270101M-V1-R1K

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.17GHz

  • 增益:

    20.5dB

  • 功率 - 輸出:

    2.4W

  • 封裝/外殼:

    10-LDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SON-10

  • 描述:

    RFP-LD10M

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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