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QX2304	文件：240.86 Kbytes Page：2 Pages	High-efficiencyPFMsynchronousboostDC-DCconverter	QXMDQX Micro Devices Co.,Ltd. 泉芯泉芯電子技術(shù)(深圳)有限公司	QXMD
READ2304G	文件：1.10848 Mbytes Page：10 Pages	HighDrivability&HighSlewRate,InputOutputFullRange, Description TheREAD2304GisinputandoutputfullrangedualCMOSOperationalAmplifierrealizinghighdrivability andhighslewrate.ThisICcanbeusedinminimumoperatingsupplyvoltagefrom2.5V,andinwideambient temperaturerangefrom-40?Cto+105?C. Availableinultra-small8pins	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
READ2304GSN	文件：1.10848 Mbytes Page：10 Pages	HighDrivability&HighSlewRate,InputOutputFullRange, Description TheREAD2304GisinputandoutputfullrangedualCMOSOperationalAmplifierrealizinghighdrivability andhighslewrate.ThisICcanbeusedinminimumoperatingsupplyvoltagefrom2.5V,andinwideambient temperaturerangefrom-40?Cto+105?C. Availableinultra-small8pins	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
READ2304GSP	文件：1.10848 Mbytes Page：10 Pages	HighDrivability&HighSlewRate,InputOutputFullRange, Description TheREAD2304GisinputandoutputfullrangedualCMOSOperationalAmplifierrealizinghighdrivability andhighslewrate.ThisICcanbeusedinminimumoperatingsupplyvoltagefrom2.5V,andinwideambient temperaturerangefrom-40?Cto+105?C. Availableinultra-small8pins	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RF2304	文件：241.65 Kbytes Page：10 Pages	GENERALPURPOSELOW-NOISEAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2304	文件：327.75 Kbytes Page：8 Pages	GENERALPURPOSELOW-NOISEAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2304	文件：197.03 Kbytes Page：10 Pages	GENERALPURPOSELOW-NOISEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2304isalow-noisesmall-signalamplifier.Thedeviceismanufacturedonalow-costGalliumArsenideMESFETprocess,andhasbeendesignedforuseasagainblockinhigh-endcommunicationsystemsoperatingfromlessthan300MHztoabove2.5GHz.With+6dBmoutputpower,	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2304PCBA	文件：197.03 Kbytes Page：10 Pages	GENERALPURPOSELOW-NOISEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2304isalow-noisesmall-signalamplifier.Thedeviceismanufacturedonalow-costGalliumArsenideMESFETprocess,andhasbeendesignedforuseasagainblockinhigh-endcommunicationsystemsoperatingfromlessthan300MHztoabove2.5GHz.With+6dBmoutputpower,	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RM2304	文件：186.08 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM2304E	文件：682.41 Kbytes Page：7 Pages	N-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology. FEATURES RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RN2304	文件：261.5 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1301~1306	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
RSZ-2304	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
RSZ-2304HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
SE2304	文件：420.14 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威倫威倫電子股份有限公司	WILLAS
SF2304B	文件：264.33 Kbytes Page：5 Pages	175MHzSAWFilter	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
SI2304	文件：303.22 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
SI2304	文件：423.53 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?30V,2.5A,RDS(ON)=65mΩ@VGS=10V 30V,2.0A,	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
SI2304	文件：270.85 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology Productavailability: SI2304DSinSOT23. Features ■TrenchMOS?technology ■Veryfastswitching ■Subminiaturesurfacemountpackage. Applications ■Batterymanagement	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
SI2304A	文件：1.61497 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET Features VDS(V)=30V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
SI2304A	文件：1.53469 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI

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深圳市源澤芯電子有限公司	PVMPW-2304	SANKEN	19+	TO-262	1000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠萬力挺實(shí)單	詢價(jià)
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深圳市宏捷佳電子科技有限公司	PVMPW-2304	Sanken	24+	TO-263	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
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更多PVMPW-2304供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-18 15:58:00

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