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PXAD214218FV-V1-R2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PXAD214218FV-V1-R2
廠商型號(hào)

PXAD214218FV-V1-R2

參數(shù)屬性

PXAD214218FV-V1-R2 封裝/外殼為H-37275G-6/2;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS H-37275G-6

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz
IC AMP RF LDMOS H-37275G-6

封裝外殼

H-37275G-6/2

文件大小

524.08 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-27 22:30:00

PXAD214218FV-V1-R2規(guī)格書(shū)詳情

PXAD214218FV-V1-R2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的PXAD214218FV-V1-R2晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The PXAD214218FV is a 430-watt (P3dB) LDMOS FET with an asymmetrical

design intended for use in multi-standard cellular power amplifier

applications in the 2110 to 2170 MHz frequency band. Features

include dual-path design, input and output matching, high gain and

thermally-enhanced package with earless flanges. Manufactured

with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device provides

excellent thermal performance and superior reliability.

Features

? Broadband internal input and output matching

? Asymmetrical Doherty design

- Main : P1dB = 130 W Typ

- Peak : P1dB = 290 W Typ

? Typical Pulsed CW performance, 2140 MHz, 28 V,

Doherty configuration

- Output power at P3dB = 436 W

- Efficiency = 55

- Gain = 13.5 dB

? Capable of handling 10:1 VSWR @28 V, 110 W (WCDMA)

output power

? Integrated ESD protection

? Human Body Model class 2 (per ANSI/ESDA/

JEDEC JS-001)

? Low thermal resistance

? Pb-free and RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PXAD214218FV-V1-R2

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.11GHz ~ 2.17GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    290W

  • 封裝/外殼:

    H-37275G-6/2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-37275G-6/2

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS H-37275G-6

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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