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QM01N65D	文件：1.08606 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
CEB01N65	文件：429.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP01N65650V10.5Ω1.3A10V CEF01N65650V10.5Ω1.3A10V CEB01N65650V10.5Ω1.3A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED01N65	文件：400.59 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,1.2A,RDS(ON)=10.5Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED01N65A	文件：472.38 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,0.9A,RDS(ON)=15W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED01N65A	文件：398.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,0.9A,RDS(ON)=15Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEF01N65	文件：429.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP01N65650V10.5Ω1.3A10V CEF01N65650V10.5Ω1.3A10V CEB01N65650V10.5Ω1.3A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEK01N65	文件：679.14 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,0.35A,RDS(ON)=10.5W@VGS=10V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEK01N65	文件：1.2255 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,0.35A,RDS(ON)=10.5Ω@VGS=10V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEK01N65A	文件：583.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,0.3A,RDS(ON)=15W@VGS=10V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEK01N65A	文件：375.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,0.3A,RDS(ON)=15Ω@VGS=10V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP01N65	文件：429.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP01N65650V10.5Ω1.3A10V CEF01N65650V10.5Ω1.3A10V CEB01N65650V10.5Ω1.3A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU01N65	文件：400.59 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,1.2A,RDS(ON)=10.5Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU01N65A	文件：472.38 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,0.9A,RDS(ON)=15W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU01N65A	文件：398.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,0.9A,RDS(ON)=15Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CJB01N65B	文件：345.5 Kbytes Page：2 Pages	TO-263-2LPlastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJD01N65B	文件：750.66 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJP01N65B	文件：584.29 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJPF01N65B	文件：343.15 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJU01N65B	文件：695.63 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJV01N65B	文件：710.67 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市金華微盛電子有限公司	QM01N65D	UIBQ	19+	TO252	30400		詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	QM01N65D	UIBQ	20+	TO252	36900	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	QM01N65D	UIBQ	23+	TO252	21000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	QM01N65D	UIBQ	23+	TO252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	QM01N65D	UBIQ	2022+	TO-252	32500	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	QM01N65D	UBIQ	23+		11200	原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	QM01N65D	UBIQ	22+	TO-252	50000	只做原裝假一罰十,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司	QM01N65D	UBIQ	2022+	TO-252	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),絕對(duì)原裝假一罰十	詢價(jià)
深圳市特萊科技有限公司	QM01N65D	UIBQ	24+23+	TO252	12580	16年現(xiàn)貨庫(kù)存供應(yīng)商終端BOM表可配單提供樣品	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	QM01N65D	UIBQ	23+	NA/	24250	原廠直銷(xiāo),現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!	詢價(jià)

更多QM01N65D供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-8 13:30:00

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