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RFM10P12中文資料GESS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RFM10P12
廠商型號(hào)

RFM10P12

功能描述

P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

文件大小

242.88 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 GE Solid State
企業(yè)簡(jiǎn)稱

GESS

中文名稱

GE Solid State

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-24 23:21:00

RFM10P12規(guī)格書詳情

P-Channel Enhancement - Mode Power Field-Effect Transistors

Features:

■ SOA is power-dissipation limited

■ Nanoseconde switching speeds

■ Linear transfer characteristics

■ High input impedance

■ Majority carrier device

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RFM10P12

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 120V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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