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首頁(yè)>RGT8NS65DGTL>芯片詳情
RGT8NS65DGTL 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ROHM/羅姆
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原廠料號(hào):RGT8NS65DGTL品牌:ROHM/羅姆
原裝正品力挺實(shí)單
RGT8NS65DGTL是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ROHM/羅姆/Rohm Semiconductor生產(chǎn)封裝TO263/TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB的RGT8NS65DGTL晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
RGT8NS65DGTL
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 類(lèi)別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類(lèi)型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,4A
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
17ns/69ns
- 測(cè)試條件:
400V,4A,50歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝:
LPDS
- 描述:
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市寶隆宏業(yè)科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
雷先生
- 手機(jī):
15873571599
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-82570026/0755-83157460/0755-83157462/0755-23604729
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5801室
相近型號(hào)
- RGTCM0806900H09Y1C
- RGT8N65DGTL
- RGTCM0806900H0T
- RGT8BM65DTLIC
- RGTE-069
- RGT8BM65DTL
- RGT8BM65D
- RGTE-069(D)
- RGTE-24VU
- RGT80TS65DGC13
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- RGT600-001-100B-5L
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