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|---|---|---|---|---|
RJH | Z Series — Low Profile Unfiltered Modular Jack | AGELECTRONICA AG Electronica | AGELECTRONICA | |
1200V - 25A - IGBT Application: Inverter Features ?Shortcircuitwithstandtime(5?styp.) ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.8Vtyp.(atIC=25A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Built-infastrecoverydiode(trr=170nstyp.)inonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tf= | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
Silicon N Channel IGBT High speed power switching Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. ●Lowleakcurrent:ICES=1μAmax. ●Built-inFastRecoveryDiode:VF=1.4Vtyp.,trr=23nstyp. | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
Silicon N Channel IGBT High speed power switching Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. ●Lowleakcurrent:ICES=1μAmax. ●Built-inFastRecoveryDiode:VF=1.4Vtyp.,trr=23nstyp. | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
Silicon N Channel IGBT High speed power switching Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. ●Lowleakcurrent:ICES=1μAmax. ●Built-inFastRecoveryDiode:VF=1.4Vtyp.,trr=23nstyp. | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
Silicon N Channel IGBT High speed power switching Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.4Vtyp ●Highspeedswitching:tr=100nstyp,tf=180nstyp ●Lowleakcurrent:ICES=1?Amax ●Built-inFastRecoveryDiode:VF=1.4Vtyp,trr=23nstyp | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
Silicon N Channel IGBT High speed power switching Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. ●Lowleakcurrent:ICES=1μAmax. ●Built-inFastRecoveryDiode:VF=1.4Vtyp.,trr=23nstyp. | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
600 V - 45 A - IGBT High Speed Power Switching Features ?Ultrahighspeedswitching tf=36nstyp.(atIC=30A,VCC=300V,VGE=15V,Rg=5Ω,InductiveLoad) ?Lowon-statevoltage ?Fastrecoverydiode | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features ?Ultrahighspeedswitching tf=55nstyp.(atIC=30A,VCC=300V,VGE=15V,Rg=5Ω,InductiveLoad) ?Lowon-statevoltage ?Fastrecoverydiode | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features ?Ultrahighspeedswitching tf=60nstyp.(atIC=40A,VCC=300V,VGE=15V,Rg=5Ω,InductiveLoad) ?Lowon-statevoltage ?Fastrecoverydiode | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質：
功率開關 （PSW）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
- 最大電流允許值：
15A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
175W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
B-70
- vtest：
0
- htest：
999900
- atest：
15
- wtest：
175
詳細參數(shù)
- 型號：
RJH
- 制造商：
ELNA America Inc
- 功能描述：
CAPACITOR 4700UF 16V
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
REN |
23+ |
TO-247A |
90000 |
一定原裝正品/香港現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
AMPHENOL |
22+ |
NA |
500000 |
萬三科技,秉承原裝,購芯無憂 |
詢價 | ||
RENESAS |
2016+ |
TO-3P |
9000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
AMP |
2022+ |
2RJ45 |
900 |
原廠原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
RENESAS |
20+ |
TO-247A |
4520 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
RENESAS |
23+ |
NA |
18000 |
專業(yè)電子元器件供應鏈正邁科技特價代理QQ1304306553 |
詢價 | ||
AMPHENOL/安費諾 |
2022+ |
NA |
10000 |
只做原裝,價格優(yōu)惠,長期供貨。 |
詢價 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-3P |
8560 |
受權代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣! |
詢價 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品,做服務型企業(yè) |
詢價 | ||
新 |
561 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價 |
