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RJH30H1DPP-M0

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. ●Lowleakcurrent:ICES=1μAmax. ●Built-inFastRecoveryDiode:VF=1.4Vtyp.,trr=23nstyp.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJP30H1DPP-M0

SiliconNChannelIGBTHighspeedpowerswitching

Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. ●Lowleakcurrent:ICES=1?Amax. ●IsolatedpackageTO-220FL

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    RJH30H1DPP-M0

  • 制造商：

    RENESAS

  • 制造商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述：

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS/瑞薩
10+
NA
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
RENESAS/瑞薩
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RENESAS
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TO-220F
28600
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16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
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RENESAS
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TO-220F
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RENESAS
2023+
TO-220F
8800
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
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RENESAS
23+
TO-220F
350
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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RENESAS
23+
TO-220F
10000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
RENESAS/瑞薩
2022+
77
全新原裝 貨期兩周
 詢價
更多RJH30H1DPP-M0供應(yīng)商 更新時間2024-11-16 15:02:00

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