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RJH60F3DPK

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(IC=20A,VGE=15V,Ta=25°C) ●Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ●Trenchgateandthinwafertechnology ●Highspeedswitching tf=92nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJH60F3DPK_15

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJH60F3DPK-00#T0

Package：TO-220-3 整包；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

OT60F3

DisconnectswitchesNon-fusibleFusible

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

詳細參數(shù)

  • 型號：

    RJH60F3DPK

  • 制造商：

    RENESAS

  • 制造商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述：

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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更多RJH60F3DPK供應(yīng)商 更新時間2025-1-31 14:50:00

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