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RJH60F3DPK分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

RJH60F3DPK
廠商型號(hào)

RJH60F3DPK

參數(shù)屬性

RJH60F3DPK 封裝/外殼為T(mén)O-220-3 整包;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

94.23 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

RENESAS瑞薩

中文名稱(chēng)

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-30 16:42:00

RJH60F3DPK規(guī)格書(shū)詳情

Features

● Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat) = 1.4 V typ. (IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)

● Built in fast recovery diode in one package

● Trench gate and thin wafer technology

● High speed switching

tf = 92 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 ?, Ta = 25°C, inductive load)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RJH60F3DPK-00#T0

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.82V @ 15V,20A

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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