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SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tr=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω

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Features ?Highspeedswitching ?Lowon-statevoltage ?Fastrecoverydiode

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Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Highspeedswitching tf=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5?,Ta=25°C,inductiveload)

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600V-40A-IGBTHighSpeedPowerSwitching Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tf=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,

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更多RJP60F5DM供應(yīng)商 更新時間2025-2-5 10:03:00

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