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SI2312DS

N-Channel20-V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI2312DS

N-ChannelEnhancementMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

SI2312DS-HF

N-ChannelMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

SK2312AA

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

SM2312NSA

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

SINOPWERSinopower Semiconductor Inc

大中集成電路大中集成電路股份有限公司

SM2312NSA

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

SM2312NSAC-TRG

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

SINOPWERSinopower Semiconductor Inc

大中集成電路大中集成電路股份有限公司

SMS2312

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SPLA2312B

Pushbuttonswitch,sideactuation,illumination

APEX-ELECTRONICS

Apex Electronics Co., Ltd

SSF2312

20VN-ChannelMOSFET

DESCRIPTION TheSSF2312usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GENERALFEATURES ●VDS=20V,ID=4.5A RDS(ON)

Good-Ark

GOOD-ARK Electronics

晶體管資料

  • 型號:

    RN2312

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+R

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    DTA124TU,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.4

詳細參數(shù)

  • 型號:

    RN2312

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type(PCT Process)

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更多RN2312供應(yīng)商 更新時間2025-4-23 16:43:00