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SI2312

20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

VDS=20V RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@5.0A

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導(dǎo)體深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司

SI2312A

UMWSI2312A

Features VDS(V)=20V ID=6A(VGS=4.5V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

SI2312A

MOSFET

Features VDS(V)=20V ID=6A(VGS=4.5V) RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

SI2312BDS

N-Channel20V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI2312BDS

N-Channel20-V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI2312CD

N-Channel20V(D-S)MOSFET

TFUNKVishay Telefunken

威世威世(VISHAY)集團

SI2312CD

N-Channel20V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI2312CDS

N-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100Rgtested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?DC/DCconverters ?Loadswitchforportable applications

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI2312CDS

N-Channel20V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI2312DS

N-Channel20-V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

晶體管資料

  • 型號:

    RN2312

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+R

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    DTA124TU,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.4

詳細參數(shù)

  • 型號:

    RN2312

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type(PCT Process)

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更多RN2312供應(yīng)商 更新時間2025-4-23 16:43:00